Behlke碳化硅 MOSFET 开关现已上市

高压开关，可变导通时间，推挽，MOSFET  

● 半桥配置中的高压推挽开关● 两个开关路径可实现快速上升和下降时间● 由于无源开关路径锁定而安全操作● 无交叉电流 ● 非常适合进入容性负载的精确高压方波脉冲 ● 无需工作电阻器● 无需大型高压输入储能电容器

警告：  快速推挽开关（半桥）对来自感性负载或增加的接线电感的反向电流非常敏感。反向电流可能会以不确定的方式开启本征（寄生）MOSFET 二极管。这会导致电桥开关路径内的短路，进而导致灾难性故障。请始终确保没有电流摆动回开关的输出。这应通过示波器测量进行验证。实际工作电压的 10%。请始终将足够的缓冲电容器（最好是陶瓷类型）直接连接到 HV 输入，并在输出接线较长的情况下使用足够的串联阻尼电阻器。MOSFET 开关上的感性负载始终需要一个快速续流二极管网络（串联阻塞二极管 + 并联续流二极管）。该保护二极管网络可以通过 BEHLKE FDA 系列的单个二极管从外部安装。它也可以作为选项 I-FWDN 集成到交换模块中。请仔细阅读一般说明。

技术说明：  BEHLKE 推挽开关具有极长的上升和下降时间。如果您的应用不需要全开关速度，我们建议您将速度限制选项 S-TT（上升和下降时间慢约 50%）与输入低通滤波器选项 LP结合使用。这些选项有助于最大限度地减少快速高压脉冲电路（例如自振荡或自重新触发）典型的高频困难，并在总体上简化 EMC 设计。 

产品代码：型号包含有关电压、电流和开启行为的编码信息。第一位数字代表电压，单位为 kV，破折号前的最后一位数字代表电压

 开启行为（0 = 固定开启时间，1 = 可变开启时间）。破折号后面的数字表示以安培 x10 为单位的电流。特殊功能由第二个破折号后的字母编码。示例 HTS 31-03-HB-C：HTS = 高压晶体管开关，3 = 3 kV，1 = 可变导通时间，03 = 30 安培，HB = 半桥，C = 紧凑型系列。

 

紧凑系列。低自感和极短的过渡时间。良好的瞬态抗扰度。

HTS 11-07-HB-C ● 专为PCB组装而设计。其他外壳可选。 2 x 1.2 2 x 70 2 x 1.2 50…∞ 79 x 38 x 17 PDF

HTS 21-07-HB-C ● 专为PCB组装而设计。其他外壳可选。 2 x 2.4 2 x 70 2 x 2.4 50…∞ 125 × 38 × 17 要求

HTS 31-03-HB-C ● 专为PCB组装而设计。其他外壳可选。 2 × 3 2 x 30 2 × 5 50…∞ 79 x 38 x 17 PDF

HTS 31-13-HB-BC ● 专为PCB组装而设计。其他外壳可选。沟槽 FET。    2 x 3.9 2 x 130 2 x 0.5 150…∞ 79 x 38 x 17 PDF

HTS 41-02-HB-LC-C ● 专为PCB组装而设计。其他外壳可选。低自然电容。 2 x 4.8 2 x 25 2 × 7 50…∞ 79 x 38 x 17 PDF

HTS 61-01-HB-C ● 专为PCB组装而设计。其他外壳可选。 2 × 6 2 × 15 2 x 22 50…∞ 79 x 38 x 17 PDF

HTS 61-03-HB-C ● 专为PCB组装而设计。其他外壳可选。 2 × 6 2 x 30 2 × 10 70…∞ 125 × 38 × 17 要求

HTS 71-13-HB-BC ● 专为PCB组装而设计。其他外壳可选。沟槽 FET。  2 x 7.8 2 x 130 2 × 1 180…∞ 125 × 38 × 17 要求

HTS 91-01-HB-C ● 专为PCB组装而设计。其他外壳可选。 2 × 9 2 × 12 2 x 42 50…∞ 79 x 38 x 17 PDF

HTS 91-02-HB-LC-C ● 专为PCB组装而设计。其他外壳可选。低自然

 

标准系列。最好在低容性负载下获得更高的开关频率。请向下滚动选项。

HTS 21-03-GSM ● 前面的高压端子。良好的瞬态抗扰度。不推荐用于 f >200 kHz。 2 × 2 2 x 30 2 x 3.4 80…∞ 89 x 64 x 27 要求

HTS 21-06-GSM ● 前面的高压端子。良好的瞬态抗扰度。不推荐用于 f >200 kHz。 2 × 2 2 x 60 2 x 1.7 80…∞ 89 x 64 x 27 要求

HTS 31-01-GSM ● 前面的高压端子。良好的瞬态抗扰度。不推荐用于 f >200 kHz。 2 × 3 2 × 15 2 × 16 80…∞ 89 x 64 x 27 要求

HTS 31-03-GSM ● 前面的高压端子。良好的瞬态抗扰度。不推荐用于 f >200 kHz。 2 × 3 2 x 30 2 × 8 80…∞ 89 x 64 x 27 PDF

HTS 41-03-GSM ● 底部的高压螺钉连接器（用于 PCB 连接）。尾纤可选。

 

Power 系列，经典硅 FET。由于采用 LC2 驱动器技术，因此具有稳健和瞬态证明。适用于高容性、阻性和感性负载。

HTS 81-10-GSM ● 塑料法兰外壳。强大的 LC2 技术。可选择高达 200 kV 的隔离。 2 × 8 2 x 100 2 × 3 150…∞ 150 x 100 x 58 要求

HTS 81-20-GSM ● 塑料法兰外壳。强大的 LC2 技术。可选择高达 200 kV 的隔离。 2 × 8 2 x 200 2 x 1.5 150…∞ 150 x 150 x 58 要求

HTS 121-10-GSM ● 塑料法兰外壳。强大的 LC2 技术。可选择高达 200 kV 的隔离。 2 × 12 2 x 100 2 × 5 180…∞ 200 x 100 x 68 PDF

HTS 121-20-GSM ● 塑料法兰外壳。强大的 LC2 技术。可选择高达 200 kV 的隔离。 2 × 12 2 x 200 2 x 2.5 180…∞ 200 x 150 x 68 PDF

HTS 151-10-GSM ● 塑料法兰外壳。强大的 LC2 技术。可选择高达 200 kV 的隔离。

 

功率系列， 碳化硅 (SiC) FET。 由于采用 LC2 驱动器技术，因此具有稳健和瞬态证明。大约 导通电阻降低 90%左右。与采用经典 MOSFET 的开关相比，自然电容减少了 30%。由于 SiC FET 具有极快的本征二极管，续流二极管在许多应用中可能是可有可无的。适用于高容性、阻性和感性负载。请向下滚动选项。

HTS 81-15-SiC-GSM ● 塑料法兰外壳。强大的 LC2 技术。可选择高达 200 kV 的隔离。 2 × 8 2 x 150 2 x 0.32 100…∞ 150 x 100 x 58 要求

HTS 81-30-SiC-GSM ● 塑料法兰外壳。强大的 LC2 技术。可选择高达 200 kV 的隔离。 2 × 8 2 x 300 2 x 0.16 100…∞ 150 x 150 x 58 要求

HTS 121-15-SiC-GSM ● 塑料法兰外壳。强大的 LC2 技术。可选择高达 200 kV 的隔离。 2 × 12 2 x 150 2 x 0.48 120…∞ 200 x 100 x 68 要求

HTS 121-30-SiC-GSM ● 塑料法兰外壳。强大的 LC2 技术。可选择高达 200 kV 的隔离。 2 × 12 2 x 300 2 x 0.24 120…∞ 200 x 150 x 68 要求

HTS 151-15-SiC-GSM ● 塑料法兰外壳。强大的 LC2 技术。可选择高达 200 kV 的隔离。 2 × 15 2 x 150 2 x 0.6 150…∞ 200 x 100 x 68 要求

HTS 151-30-SiC-GSM ● 塑料法兰外壳。强大的 LC2 技术。可选择高达 200 kV 的隔离。