behlke 快速高压 MCT 开关 MOSFET 系列

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用于 HTS 开关的新通用控制单元：

乙ehlke开发了一种新 的控制和 驱动 单元 的所有HTS单，推拉，AC 和AC -push式高压 开关。 第e控制电路是任何固态开关的一个重要组成部分，基本上决定切换行为，所述抗噪声和开关模块的长期可靠性。该新的控制单元VC4 是成功的开关系列HTS的一个重要组成部分， 体现在发展高压固态开关超过25年的经验。由于极   由于闭合负载电路的高di/dt和dv/dt造成恶劣的电磁环境 ，控制电路 的 电磁兼容性（EMC）对于整个开关模块的可靠功能至关重要。高压电路的感应回路区域和控制电路之间总是存在电磁耦合。这些感应回路区域无法避免，但可以通过仔细的电路设计将它们最小化。

通过使用最先进的组件和先进的专有电路，VC4 控制电路现在可以减少到小于 20 毫升的内置体积，这从根本上提高了抗噪能力。进一步改善EMC已经用u实现tilizing 与接地面之间的信号磁道的六倍多层PCB 。甲新输入过滤器允许与即使在最坏的情况下EMC屏蔽条件输入布线达到一定长度的可靠的控制。

5 伏辅助电压输入现在接受 4.5 至 5.5 V 电源电压。短-时间过电压的高达100％ ，以及大量的正，负瞬变 广泛关键的。辅助功耗降低了约30%至60%。新的 VC4 有四个温度传感器和几个欠压和过压检测器。非常快的禁止输入 (TTL) 允许连接外部过电流传感器或火花传感器，以实现有源开关保护。如果禁止输入为逻辑“L”，开关将在 50到 250 ns内关闭（取决于开关型号）并且将被锁定至少两秒钟或只要干扰持续。

 Ť他新VC4具有LSO一个故障信号输出，其指示超温，假辅助电源和输入 在频率。操作状态和控制脉冲 将由 LED 指示。甚至可以看到纳秒级的控制脉冲。高度复杂的控制脉冲处理可确保在所有情况下始终正确控制高压半导体堆栈，即使在 最坏的 EMC 条件下也是如此。 即使控制脉冲不足（例如太短、太慢或太低）或由于次优应用电路而受到 EMI 干扰，也可以安全地打开和关闭大电流。  

该VC4被设计 为U tilized 在 所有交换机型号与时间变量。这种标准化允许大规模生产具有所有众所周知的好处，包括专业的质量控制。无论您的订单数量是多少，即使您只订购定制开关的原型，您也将始终拥有最高技术标准的控制和驱动电路。

VC4可以驱动多达1000 个大功率 MOSFET、IGBT 或 MCT，每个 Ciss 为 10 nF，Qg 为 300 nC (!)，但它也可用于我们只有几个低电容 MOSFET 的最小开关模块。即使重复率高达 3 MHz （需要驱动器冷却选项 C-DR ），也可以驱动具有低电容 FET 的单开关和推挽式开关。在较小的开关模块中，VC4直接适配高压开关主板。在体积较大的较大开关（例如 30 kV 以上的开关）中，VC4 将作为可拆卸单元插入，以便进行可能的更新。

右： A B VC4的ATCH 小 从我们的SMD生产线新鲜板。 批次将由特殊的气动平行切割机分开，以排除任何 SMD 因扭力造成的损坏。 下面左边和中间：将 分离的迷你主板，部分带有古典有线组件完成。 完整的控制单元由 69 个有源部件（此处为 17 个 IC）和 152 个无源部件组成。以下权利：将VC4作为 一个 可移动的单元38×38×16毫米（1.5×1.5×0.63 “ ），壳体是屏蔽的内侧。